دیتاشیت BC857C
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BC857C
|
| حجم فایل |
66.907
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
4
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
LGE BC857C
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
-65°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
250mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
420@2mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
45V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@10mA,500uA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
LGE
